RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
64
Около -178% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
20.6
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3819
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link