RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
64
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2871
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link