RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
64
95
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
95
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
1518
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link