RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
64
Около -39% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
46
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2717
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link