RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
64
Около -167% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2462
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link