RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
64
Около -137% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3963
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link