RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
42
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
37
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
13.6
Скорость записи, Гб/сек
6.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3001
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link