RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Kllisre 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Kllisre 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
46
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Kllisre 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
46
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
11.7
Скорость записи, Гб/сек
6.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2349
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kllisre 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link