RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
15.0
Скорость записи, Гб/сек
6.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2654
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link