RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
18.6
Скорость записи, Гб/сек
6.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3756
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link