RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
3029
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link