RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2876
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link