RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
71
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
21.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3448
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link