RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
71
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
66
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
12.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1909
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link