RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
71
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2479
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link