RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
23.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
21.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
4565
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link