RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
71
Около -173% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3017
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link