RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
71
Около -184% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2765
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link