RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingston 9905744-066.A00G 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
71
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
47
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3099
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link