RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2697
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link