RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
71
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
19.9
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3271
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link