RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2989
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link