RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
71
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
10.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2235
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link