RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
71
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
42
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2352
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link