RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
71
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3621
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link