RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2140
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link