RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
71
Около -184% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
4046
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link