RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
71
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
39
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2245
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link