RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
21.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
4151
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link