Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 35

Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.2 13.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.2 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 31
Скорость чтения, Гб/сек

13.7 15.2
Скорость записи, Гб/сек

9.6 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2312 3217

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMR16GX4M2C 8GB

Corsair CMR16GX4M2C 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston 9905744-011.A00G 32GB

Kingston 9905744-011.A00G 32GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

модули RAM

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

модули RAM