RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
9.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2110
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link