RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    13.7 left arrow 11.4
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 35
    Около -30% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.7 left arrow 11.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 11.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2312 left arrow 2062

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
модули RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
модули RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
модули RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
модули RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
модули RAM