RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Inmos + 256MB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Inmos + 256MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около -17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
16800
12800
Около 1.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
11.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
16800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2318
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Inmos + 256MB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link