RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Kingston 9965596-036.B00G 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
12.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2653
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link