RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
13.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2312
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link