RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
35
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2611
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link