RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
39
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
18.9
Скорость записи, Гб/сек
9.2
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
3621
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link