RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Сравнить
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB против Kingston 9905665-023.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
5.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1274
1813
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Сравнения RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link