RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2813
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link