RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
63
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
63
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
1863
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link