RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3051
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link