RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
27
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3521
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link