PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

PNY Electronics PNY 2GB против Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 35
    Около 23% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.2 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.5 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 14.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 10.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 2460
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения