RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2808
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link