RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.9
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
19.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3271
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link