RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Maxsun MSD416G26Q3 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
84
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
84
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
12.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
1486
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link