RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3191
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link