RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2988
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link