RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3013
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link