PNY Electronics PNY 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 32

Около 16% меньшая задержка

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.4 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 32
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 15.4
Скорость записи, Гб/сек

8.4 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 2933

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Kingston 9905712-016.A00G 16GB

Kingston 9905712-016.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

модули RAM